- Titel
- Normally-off operating GaN-based pseudovertical MOSFETs with MBE grown source region
- Zitierfähige Url:
- https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa2-810886
- Quellenangabe
- Journal of Vacuum Science & Technology (JVST)
Erscheinungsjahr: 2018
Jahrgang: 36
Heft: 2
Seiten: 02D109-1-02D109-5
E-ISSN: 2166-2746 - Erstveröffentlichung
- 2018
- Abstract (EN)
- In this report, the operation of a normally-off vertical gallium nitride (GaN) metal-oxide field effect transistor with a threshold voltage of 5 V is demonstrated. A crucial step during device fabrication is the formation of the highly n-doped source layer. The authors infer that the use of molecular beam epitaxy (MBE) is highly beneficial for suppressing diffusion of the magnesium (Mg) p-type dopants from the body layer grown by metal-organic vapor phase epitaxy into the source cap. Repassivation of the previously activated Mg acceptors by a hydrogen out-diffusion treatment is suppressed in the ultrahigh vacuum growth environment. Structural and electrical data indicate that the defect density of the GaN substrate is currently limiting device performance much more compared to other effects like varying surface morphology resulting from fluctuations in III/N stoichiometry during the MBE growth.
- Andere Ausgabe
- Link zum Artikel, der zuerst in der Zeitschrift 'Journal of Vacuum Science & Technology B' bei AIP Publishing erschienen ist:
DOI: https://doi.org/10.1116/1.5017291 - Freie Schlagwörter (DE)
- Kristallographische Defekte, Epitaxie, Feldeffekttransistoren, Halbleiter, Dotierung, Leistungselektronik
- Freie Schlagwörter (EN)
- Crystallographic defects, Epitaxy, Field effect transistors, Semiconductors, Doping, Power electronics
- Klassifikation (DDC)
- 530
- Verlag
- AIP Publishing, College Park, Md.
- Förder- / Projektangaben
- Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Mikroelektronik. Vertrauenswürdig und nachhaltig. Für Deutschland und Europa
Entwicklung von Zwei-Schicht dotierten GaN-Substraten und vertikalen Hoch-Volt-Transistoren
(ZweiGaN)
ID: 16ES0145K - Version / Begutachtungsstatus
- publizierte Version / Verlagsversion
- URN Qucosa
- urn:nbn:de:bsz:14-qucosa2-810886
- Veröffentlichungsdatum Qucosa
- 05.10.2022
- Dokumenttyp
- Artikel
- Sprache des Dokumentes
- Englisch
- Deutsch
- Lizenz / Rechtehinweis
