- AutorIn
- Patrick D. Lomenzo Nanoelectronic Materials Laboratory GmbH, Dresden
- Stefan SlesazeckNanoelectronic Materials Laboratory GmbH, Dresden
- Michael HoffmannNanoelectronic Materials Laboratory GmbH, Dresden
- Thomas Mikolajick
- Uwe Schroeder
- Benjamin Max
- Titel
- Ferroelectric Hf₁₋ₓZrₓO₂ Memories
- Untertitel
- device Reliability and Depolarization Fields
- Zitierfähige Url:
- https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa2-770048
- Konferenz
- 19th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS). Durham, 28. - 30. Okt. 2019
- Quellenangabe
- 2019 19th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS)
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Erscheinungsort: New York, NY
Verlag: IEEE
Erscheinungsjahr: 2020 - Erstveröffentlichung
- 2020
- Abstract (EN)
- The influence of depolarization and its role in causing data retention failure in ferroelectric memories is investigated. Ferroelectric Hf₀.₅Zr₀.₅O₂ thin films 8 nm thick incorporated into a metal-ferroelectric-metal capacitor are fabricated and characterized with varying thicknesses of an Al₂O₃ interfacial layer. The magnitude of the depolarization field is adjusted by controlling the thickness of the Al₂O₃ layer. The initial polarization and the change in polarization with electric field cycling is strongly impacted by the insertion of Al₂O₃ within the device stack. Transient polarization loss is shown to get worse with larger depolarization fields and data retention is evaluated up to 85 °C.
- Andere Ausgabe
- Link zum Artikel, der zuerst in der IEEE Xplore Digital Library erschienen ist
DOI: 10.1109/NVMTS47818.2019.9043368 - Freie Schlagwörter (DE)
- Ferroelektrika, FRAM, Depolarisierung, Langzeitspeicherung, Wake-up, Speicher-Zuverlässigkeit
- Freie Schlagwörter (EN)
- Ferroelectrics, FRAM, Depolarization, Retention, Wake-up, Memory Reliability
- Klassifikation (DDC)
- 621.3
- Verlag
- IEEE, New York, NY
- Förder- / Projektangaben
- European Commission (EC)
Horizon 2020
Ultra-Low PoweR technologIes and MEmory architectures for IoT
(PRIME)
ID: 692519 - Bundesministerium für Wirtschaft und Energie (BMWi)
ID: 16IPCEI310 - Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG)
- Version / Begutachtungsstatus
- angenommene Version / Postprint / Autorenversion
- URN Qucosa
- urn:nbn:de:bsz:14-qucosa2-770048
- Veröffentlichungsdatum Qucosa
- 17.12.2021
- Dokumenttyp
- Konferenzbeitrag
- Sprache des Dokumentes
- Englisch
- Lizenz / Rechtehinweis