- AutorIn
- Sven Jachalke Technische Universität Bergakademie Freiberg, Institut für Experimentelle Physik
- Tony SchenkNanoelectronic Materials Laboratory GmbH, Dresden
- Min Hyuk ParkNanoelectronic Materials Laboratory GmbH, Dresden
- Uwe Schroeder
- Thomas Mikolajick
- Hartmut Stöcker
- Erik Mehner
- Dirk C. Meyer
- Titel
- Pyroelectricity of silicon-doped hafnium oxide thin films
- Zitierfähige Url:
- https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa2-757517
- Quellenangabe
- Applied physics letters
Erscheinungsjahr: 2018
Jahrgang: 112
Heft: 14
Seiten: 142901-1-142901-5
E-ISSN: 1077-3118 - Erstveröffentlichung
- 2018
- Abstract (EN)
- Ferroelectricity in hafnium oxide thin films is known to be induced by various doping elements and in solid-solution with zirconia. While a wealth of studies is focused on their basic ferroelectric properties and memory applications, thorough studies of the related pyroelectric properties and their application potential are only rarely found. This work investigates the impact of Si doping on the phase composition and ferro- as well as pyroelectric properties of thin film capacitors. Dynamic hysteresis measurements and the field-free Sharp-Garn method were used to correlate the reported orthorhombic phase fractions with the remanent polarization and pyroelectric coefficient. Maximum values of 8.21 µC cm−2 and −46.2 µC K−1 m−2 for remanent polarization and pyroelectric coefficient were found for a Si content of 2.0 at%, respectively. Moreover, temperature-dependent measurements reveal nearly constant values for the pyroelectric coefficient and remanent polarization over the temperature range of 0 °C to 170 °C, which make the material a promising candidate for IR sensor and energy conversion applications beyond the commonly discussed use in memory applications.
- Andere Ausgabe
- Link zum Artikel, der zuerst in der Zeitschrift 'Applied Physics Letters' bei AIP Publishing erschienen ist.
DOI: 10.1063/1.5023390 - Freie Schlagwörter (DE)
- Pyroelektrizität, pyroelektrische Eigenschaften, Ferroelektrizität, Hafniumoxid-Dünnschichten
- Freie Schlagwörter (EN)
- Pyroelectricity, pyroelectric properties, Ferroelectricity, hafnium oxide thin films
- Klassifikation (DDC)
- 530
- Verlag
- AIP Publishing, Melville, NY
- Förder- / Projektangaben
- Sächsische Aufbaubank (SAB)
SAB-Initiative „Innovative Energietechnik“
Nutzung von Abwärme zur Erzeugung von Wasserstoff und Elektrizität mit pyroelektrischen Oxiden
ID: 100245339 - Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG)
Inzipiente Ferroelektrika auf der Basis von Hafniumoxid
(Inferox)
ID: MI 1247/11-2 - Version / Begutachtungsstatus
- publizierte Version / Verlagsversion
- URN Qucosa
- urn:nbn:de:bsz:14-qucosa2-757517
- Veröffentlichungsdatum Qucosa
- 27.04.2022
- Dokumenttyp
- Artikel
- Sprache des Dokumentes
- Englisch
- Lizenz / Rechtehinweis